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2SC520晶体管资料

  • 2SC520别名：2SC520三极管、2SC520晶体管、2SC520晶体三极管

  • 2SC520生产厂家：日本东芝公司

  • 2SC520制作材料：Si-NPN

  • 2SC520性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 2SC520封装形式：直插封装

  • 2SC520极限工作电压：80V

  • 2SC520最大电流允许值：7A

  • 2SC520最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SC520引脚数：2

  • 2SC520最大耗散功率：50W

  • 2SC520放大倍数：

  • 2SC520图片代号：E-44

  • 2SC520vtest：80

  • 2SC520htest：999900

  • 2SC520atest：7

  • 2SC520wtest：50

  • 2SC520代换 2SC520用什么型号代替：BU109,BU110,BU210,BUY20,BUY77,3DK206B,

2SC520价格

参考价格：￥7.0021

型号：2SC5200N(S1,E,S) 品牌：Toshiba 备注：这里有2SC520多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SC520批发/采购报价，2SC520行情走势销售排行榜，2SC520报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC5200A-O-AB-N-B

丝印代码：2SC5200；Silicon NPN Triple Diffused Transistor

文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200A-O-AL-N-B

丝印代码：2SC5200；Silicon NPN Triple Diffused Transistor

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200A-O-AL-N-D

丝印代码：2SC5200；Silicon NPN Triple Diffused Transistor

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200B-O-AB-N-B

丝印代码：2SC5200；Silicon NPN Triple Diffused Transistor

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200B-O-AL-N-B

丝印代码：2SC5200；Silicon NPN Triple Diffused Transistor

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华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200B-O-AL-N-D

丝印代码：2SC5200；Silicon NPN Triple Diffused Transistor

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华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200C-O-AB-N-B

丝印代码：2SC5200；Silicon NPN Triple Diffused Transistor

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200C-O-AL-N-B

丝印代码：2SC5200；Silicon NPN Triple Diffused Transistor

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200C-O-AL-N-D

丝印代码：2SC5200；Silicon NPN Triple Diffused Transistor

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200-O-AB-N-B

丝印代码：2SC5200；Silicon NPN Triple Diffused Transistor

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200-O-AL-N-B

丝印代码：2SC5200；Silicon NPN Triple Diffused Transistor

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200-O-AL-N-D

丝印代码：2SC5200；Silicon NPN Triple Diffused Transistor

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200

150 Watt Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-3PL package ·Complement to type 2SA1943 APPLICATIONS ·High current switching ·Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage

THINKISEMI

思祁半导体

2SC5200

High power NPN epitaxial planar bipolar transistor

Description This device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour. Features ■ High breakdown voltage VCEO = 230 V ■ Typical fT = 30 MHz Application ■ Audio power amplif

STMICROELECTRONICS

意法半导体

2SC5200

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC5200

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features • High Current Capability: IC = 17A. • High Power Dissipation : 150watts. • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO=250V • Wide S.O.A for reliable operation. • Excellent Gain Linearity for low THD. • Complement to 2SA1943/FJL4215. • Thermal and electrical Spice models are av

ONSEMI

安森美半导体

2SC5200

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS FEATURES * Recommended for 100W High Fidelity Audio Frequency Amplifier Output Stage. * Complementary to UTC 2SA1943

UTC

友顺

2SC5200

NPN Epitaxial Silicon Transistor

1. High Current Capability: IC= 17A. 2. High Power Dissipation : 150watts. 3. High Frequency : 30MHz. 4. High Voltage : VCEO=250V 5. Wide S.O.A for reliable operation. 6. Excellent Gain Linearity for low THD. 7. Complement to 2SA1943/FJL4215.

FAIRCHILD

仙童半导体

2SC5200

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·High Current Capability ·High Power Dissipation ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 230V(Min) ·Complement to Type 2SA1943 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage

ISC

无锡固电

2SC5200

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3PL package • Complement to type 2SA1943 APPLICATIONS • High current switching • Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage

SAVANTIC

2SC5200

POWER AMPLIFIER APPLICATION

• Complementary to 2SA1943 • Recommended for 100W High Fidelity Audio Frequency Amplifier Output Stage.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SC5200

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO=300V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat)= 3.0V(Max) @IC= 8A APPLICATIONS ·Designed for power amplifier,high speed switching and regulated power supply applications.

ISC

无锡固电

2SC5200

High power NPN epitaxial planar bipolar transistor

Features ■ High breakdown voltage VCEO = 230 V ■ Typical fT = 30 MHz Application ■ Audio power amplifier Description This device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity b

SYC

2SC5200

Power transistor for high-speed switching applications

Application Scope：Audio amplifier output stage 100-W\nPolarity：NPN\nComplementary Product：2SA1943\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 / 日本 Collector Current IC 15 A \nCollector power dissipation PC 150 W \nCollector-emitter voltage VCEO 230 V ;

TOSHIBA

东芝

2SC5200N

150 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·With TO-3PN-SQ package ·Complement to type 2SA1943N APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage

THINKISEMI

思祁半导体

2SC5200N

丝印代码：C5200N；Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type

Applications • Power Amplifiers Features (1) High collector voltage: VCEO = 230 V (min) (2) Complementary to 2SA1943N (3) Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage

TOSHIBA

东芝

2SC5200-OQ

power amplifier applications

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS • Complementary to 2SA1943 ​​​​​​​• Recommended for 100W High Fidelity Audio Frequency Amplifier Output Stage.

TOSHIBA

东芝

2SC5200OTU

丝印代码：C5200O；NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features • High Current Capability: IC = 17A. • High Power Dissipation : 150watts. • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO=250V • Wide S.O.A for reliable operation. • Excellent Gain Linearity for low THD. • Complement to 2SA1943/FJL4215. • Thermal and electrical Spice models are av

ONSEMI

安森美半导体

2SC5200OTU

NPN Epitaxial Silicon Transistor

1. High Current Capability: IC= 17A. 2. High Power Dissipation : 150watts. 3. High Frequency : 30MHz. 4. High Voltage : VCEO=250V 5. Wide S.O.A for reliable operation. 6. Excellent Gain Linearity for low THD. 7. Complement to 2SA1943/FJL4215.

FAIRCHILD

仙童半导体

2SC5200RTU

NPN Epitaxial Silicon Transistor

1. High Current Capability: IC= 17A. 2. High Power Dissipation : 150watts. 3. High Frequency : 30MHz. 4. High Voltage : VCEO=250V 5. Wide S.O.A for reliable operation. 6. Excellent Gain Linearity for low THD. 7. Complement to 2SA1943/FJL4215.

FAIRCHILD

仙童半导体

2SC5200RTU

丝印代码：C5200R；NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features • High Current Capability: IC = 17A. • High Power Dissipation : 150watts. • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO=250V • Wide S.O.A for reliable operation. • Excellent Gain Linearity for low THD. • Complement to 2SA1943/FJL4215. • Thermal and electrical Spice models are av

ONSEMI

安森美半导体

2SC5201

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC5201

NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS)

High-Voltage Switching Applications • High breakdown voltage: VCEO = 600 V • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.0 V (max) (IC = 20 mA, IB = 0.5 mA)

TOSHIBA

东芝

2SC5207A

SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR

Silicon NPN Triple Diffused Planar Features • High speed switching tf = 0.2 µsec(typ) • Wide drive current capability

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SC5208

Silicon NPN Triple Diffused Type High-Voltage Switching Applications

High-Voltage Switching Applications Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications DC-AC Inverter Applications • High-speed switching: tr = 1.0 μs (max) ,tf = 1.5 μs (max) • High breakdown voltage: VCEO = 400 V

TOSHIBA

东芝

2SC5208

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC5209

Small Signal Transistor

■ Features ● High hFE : hFE=600 to 1800 ● High breakdown voltage ● Small package for mounting ● Complementary to 2SA1944

KEXIN

科信电子

2SC5209

FOR RELAY DRIVE POWER SUPPLY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

[Isahaya Electronics Corporation] DESCRIPTION 2SC5209 is a silicon NPN epitaxial type transistor. It designed with high voltage, high collector current and high hFE. Complementary with 2SA1944. FEATURES ● High voltage VCEO = 50V ● Small collector to emitter saturation voltage VCE(sat)

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SC5209

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR

DESCRIPTION 2SC5209 is a silicon NPN epitaxial type transistor. It designed with high voltage, high collector current and high hFE. Complementary with 2SA1944. FEATURES ● High voltage VCEO = 50V ● Small collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 0.15V typ (@IC = 500mA, IB = 10mA

ISAHAYA

谏早电子

2SC5200

150 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Power Transistor

文件：281.75 Kbytes Page：2 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

2SC5200

TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors

文件：377.77 Kbytes Page：2 Pages

JIANGSU

长电科技

2SC5200

Silicon NPN Power Transistors

文件：231.01 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

2SC5200

Power Amplifier Applications

文件：127.51 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5200

Silicon NPN Triple Diffused Transistor

文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200

Silicon NPN transistor in a TO-3P Plastic Package.

文件：921.21 Kbytes Page：6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

2SC5200

Bipolar Transistor

UTC

友顺

2SC5200

晶体管

JSCJ

长晶科技

2SC5200

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS DRIVER STAGE AMPLIFIER

文件：177.43 Kbytes Page：4 Pages

UTC

友顺

2SC5200_04

Power Amplifier Applications

文件：127.51 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5200_15

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS DRIVER STAGE AMPLIFIER

文件：177.43 Kbytes Page：4 Pages

UTC

友顺

2SC5200_18

150 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Power Transistor

文件：281.75 Kbytes Page：2 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

2SC5200A

Power Amplifier Applications

文件：330.15 Kbytes Page：5 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200A-O-AL-N-B

Power Amplifier Applications

文件：330.15 Kbytes Page：5 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200A-O-AL-N-D

Power Amplifier Applications

文件：330.15 Kbytes Page：5 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200A-O-W-N-B

Power Amplifier Applications

文件：330.15 Kbytes Page：5 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200B

Power Amplifier Applications

文件：283.18 Kbytes Page：5 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200B-O-AB-N-B

Power Amplifier Applications

文件：283.18 Kbytes Page：5 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200B-O-AL-N-B

Power Amplifier Applications

文件：283.18 Kbytes Page：5 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200B-O-AL-N-D

Power Amplifier Applications

文件：283.18 Kbytes Page：5 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

2SC5200N

isc Silicon NPN Power Transistor

文件：273.15 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SC520产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free：

    Pb

  • Status：

    Active

  • Polarity：

    NPN

  • Type：

    General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)：

    3

  • IC Cont. (A)：

    17

  • VCEO Min (V)：

    250

  • VCBO (V)：

    250

  • VEBO (V)：

    5

  • VBE(on) (V)：

    1

  • hFE Min：

    80

  • hFE Max：

    160

  • fT Min (MHz)：

    30

  • PTM Max (W)：

    150

  • Package Type：

    TO-264-3

2SC520供应商更多...

更新时间：2026-5-14 15:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
2SC5200N(S1
TOSHIBA/东芝
21+
TO-3P-3
2137
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货!
询价
深圳市富利微电子科技有限公司
2SC5200N(S1
TOSHIBA/东芝
25+
TO-3P-3
30000
房间原装现货特价热卖,有单详谈
询价
艾睿（深圳）半导体有限公司
2SC5200N
TOSHIBA/东芝
2447
TO-3P
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
万三科技(深圳)有限公司
2SC5200N
TOSHIBA(东芝)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价
深圳市芯皇电子有限公司
2SC5200B
华微
23+
TO-3PB
46000
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
询价
深圳市美思瑞电子科技有限公司
2SC5200N(S1
TOSHIBA/东芝
22+
TO-3P-3
12245
现货,原厂原装假一罚十!
询价
深圳市莱克讯科技有限公司
2SC5200N
TOSHIBA
最新
TO-3P
9200
公司原装现货假一罚十特价欢迎来电咨询
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
2SC5200N
TOSHIBA/东芝
2450+
TO-3P
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
深圳市拓亿芯电子有限公司
2SC5200N
TOSHIBA/东芝
25+
TO-3P
30000
原装现货,假一赔十.
询价
深圳市达恩科技有限公司
2SC5200N(S1/E/S)
Toshiba
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价

2SC520芯片相关品牌

2SC520规格书下载地址

2SC520参数引脚图相关

2SC520数据表相关新闻

  • 2SC4617G-SOT323R-R-TG_UTC代理商

    2SC4617G-SOT323R-R-TG_UTC代理商

    2023-2-15

  • 2SC5353BL-TO126CK-TG

    2SC5353BL-TO126CK-TG

    2023-1-30

  • 2SC5569G-SOT89R-TG

    2SC5569G-SOT89R-TG

    2023-1-30

  • 2SC5015-T1

    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13

  • 2SC5299

    2SC5299，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-24

  • 2SC4617TLR

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-22

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