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TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS • High Transition Frequency: fT = 100 MHz (Typ.) • Complementary to 2SA1932

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Silicon NPN epitaxial type • Low Collector Saturation Voltage • High transition frequency • Complementary to 2SA1932 • Good Linearity of hFE • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Power amplifier applications •

ISC

无锡固电

Power Amplifier Applications

文件:120.44 Kbytes Page:3 Pages

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-28 12:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
2511
SOT-23
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
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TO-220F
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TOSHIBA/东芝
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全新原装正品现货,支持订货
NEC
24+
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60000
TOSHIBA/东芝
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TO-220F
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只有原装,可配单
NK/南科功率
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SOT-23
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国产
RENESAS/瑞萨
22+
SOT-23
20000
只做原装

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  • 2SC5299

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    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

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