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NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS)

High-Voltage switching Applications • High breakdown voltage: VCEO= 400 V • Low saturation voltage: VCE (sat)= 0.4 V (typ.) (IC= 20 mA, IB= 0.5 mA)

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

Silicon NPN Triple Diffused Type

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-1-1 9:36:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
25+
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TOSHIBA
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