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位置：首页 > IC中文资料第6251页 > 2SC508

2SC508晶体管资料

  • 2SC508别名：2SC508三极管、2SC508晶体管、2SC508晶体三极管

  • 2SC508生产厂家：日本东芝公司

  • 2SC508制作材料：Si-NPN

  • 2SC508性质：电视 （TV）_行输出 （HA）

  • 2SC508封装形式：直插封装

  • 2SC508极限工作电压：180V

  • 2SC508最大电流允许值：4A

  • 2SC508最大工作频率：25MHZ

  • 2SC508引脚数：2

  • 2SC508最大耗散功率：20W

  • 2SC508放大倍数：

  • 2SC508图片代号：E-44

  • 2SC508vtest：180

  • 2SC508htest：25000000

  • 2SC508atest：4

  • 2SC508wtest：20

  • 2SC508代换 2SC508用什么型号代替：BD193,BDX22,BU406,BU407,BU408,BUY63,2N4240,2SD823,2SD1136,2SD1159,3DK205D,

2SC508价格

参考价格：￥0.5967

型号：2SC5084-O(TE85L,F) 品牌：Toshiba 备注：这里有2SC508多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SC508批发/采购报价，2SC508行情走势销售排行榜，2SC508报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC508

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-66package •Highcollector-basebreakdownvoltage:VCBO=180V(min) APPLICATIONS •ForpowerswitchingandTVhorizontaloutputapplications.

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SC508

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-66package •Highcollector-basebreakdownvoltage:VCBO=180V(min) APPLICATIONS •ForpowerswitchingandTVhorizontaloutputapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC508

SiliconPNPPowerTransistors

文件：136.36 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SC5080

SiliconNPNEpitaxial

Features •Highgainbandwidthproduct fT=13.5GHzTyp •Highgain,lownoisefigure PG=18dBTyp,NF=1.1dBTypatf=900MHz Application VHF/UHFwidebandamplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Hitachi
2SC5080

SiliconNPNEpitaxial

Features •Highgainbandwidthproduct fT=13.5GHzTyp •Highgain,lownoisefigure PG=18dBTyp,NF=1.1dBTypatf=900MHz Application VHF/UHFwidebandamplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5080ZD-TL-E

SiliconNPNEpitaxial

Features •Highgainbandwidthproduct fT=13.5GHzTyp •Highgain,lownoisefigure PG=18dBTyp,NF=1.1dBTypatf=900MHz Application VHF/UHFwidebandamplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5081

SiliconNPNEpitaxial

Features •Highgainbandwidthproduct fT=13.5GHzTyp •Highgain,lownoisefigure PG=18dBTyp,NF=1.1dBTypatf=900MHz Application VHF/UHFwidebandamplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5081

SiliconNPNEpitaxial

Features •Highgainbandwidthproduct fT=13.5GHzTyp •Highgain,lownoisefigure PG=18dBTyp,NF=1.1dBTypatf=900MHz Application VHF/UHFwidebandamplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Hitachi
2SC5081ZD-TL-E

SiliconNPNEpitaxial

Features •Highgainbandwidthproduct fT=13.5GHzTyp •Highgain,lownoisefigure PG=18dBTyp,NF=1.1dBTypatf=900MHz Application VHF/UHFwidebandamplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5084

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5084

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=11dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5084

NPNEPITAXIALPLANARTYPE(VHF~UHFBANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS)

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=11dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5084-O

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=11dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5084-Y

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=11dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5085

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5085

NPNEPITAXIALPLANARTYPE(VHF~UHFBANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS)

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=11dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5086

NPNEPITAXIALPLANARTYPE(VHF~UHFBANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS)

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=11dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5086

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=11dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5086

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=11dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5086FT

NPNEPITAXIALPLANARTYPE(VHF~UHFBANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS)

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=11dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5086FT-Y

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=11dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5086-Y

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=11dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5087

NPNEPITAXIALPLANARTYPE(VHF~UHFBANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS)

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=13dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5087

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=13dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5087

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5087-O

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=13dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5087R

SiliconNPNEpitaxialPlanarTypeVHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

VHFtoUHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=13.5dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5087R

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5087-Y

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=13dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5088

NPNEPITAXIALPLANARTYPE(VHF~UHFBANDLOWNOESEAMPLIFIERAPPLICATIONS)

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,|S21e|2=13dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5089

HighGainBandwidthProduct

DESCRIPTION •HighGainBandwidthProductfT=10GHzTYP. •HighGain,LowNoiseFigure|S21e|2=13dBTYP.,NF=1.1dBTYP@f=1GHz APPLICATIONS •DesignedforVHF~UHFbandlownoiseamplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC5089

NPNEPITAXIALPLANARTYPE(VHF~UHFBANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATNIONS)

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications ●Lownoisefigure,highgain. ●NF=1.1dB,|S21e|2=13dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5089

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5084

SiliconNPNEpitaxialPlanarTypeVHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

文件：992.44 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5084

HighGainBandwidthProduct

文件：267.66 Kbytes Page：5 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC5084_07

SiliconNPNEpitaxialPlanarTypeVHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

文件：992.44 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5085

SiliconNPNEpitaxialPlanarTypeVHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

文件：997.21 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5085

TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialPlanarType

文件：463.88 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5085_07

SiliconNPNEpitaxialPlanarTypeVHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

文件：997.21 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5085-O(TE85L,F)

封装/外壳：SC-70，SOT-323 包装：托盘 描述：RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

ETC

知名厂家

2SC5085-Y

TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialPlanarType

文件：463.88 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5085-Y(TE85L,F)

封装/外壳：SC-70，SOT-323 包装：托盘 描述：RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

ETC

知名厂家

2SC5086

LowNoise

文件：316.72 Kbytes Page：7 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC5086

SiliconNPNEpitaxialPlanarTypeVHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

文件：999 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5086_07

SiliconNPNEpitaxialPlanarTypeVHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

文件：999 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5086FT

SiliconNPNEpitaxialPlanarTypeVHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

文件：112.06 Kbytes Page：3 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5086FT_07

SiliconNPNEpitaxialPlanarTypeVHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

文件：112.06 Kbytes Page：3 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5087

SiliconNPNEpitaxialPlanarType

文件：175.52 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5087_07

SiliconNPNEpitaxialPlanarType

文件：175.52 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5088

SiliconNPNEpitaxialPlanarTypeVHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

文件：996.17 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5088_07

SiliconNPNEpitaxialPlanarTypeVHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications

文件：996.17 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

2SC508产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC508

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    Silicon NPN Power Transistors

2SC508供应商更多...

更新时间：2025-7-30 12:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市亿联芯电子科技有限公司
2SC5084-Y
TOSHIBA/东芝
2023+
SOT-23
80000
原厂全新正品旗舰店优势现货
询价
深圳兆威电子有限公司
2SC5087R(TE85L
TOSHIBA/东芝
22+
SOT-143
37476
原装正品现货
询价
深圳市盈慧通电子有限公司
2SC5087R
TOSHIBA/东芝
2511
SOT-143
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SC5087-O
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
15250
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
广州市睿科电子科技有限公司
2SC5086-O.LF
TOSHIBA/东芝
22+
SOT-416
5000
原装 渠道优势 实单联系
询价
深圳市创新迹电子有限公司
2SC5087-O(TE85L,F)
TOSHIBA
23+
SOT-143
7000
专注配单,只做原装进口现货
询价
深圳市中赛美电子科技有限公司
2SC5084YTE85LF
TOSHIBA/东芝
23+
SC-59
12700
买原装认准中赛美
询价
深圳市中联芯电子有限公司
2SC5084-YIC
TOSHIBA/东芝
23+
SOT23
9890
原装原盒标现货可开发票
询价
深圳市斌能达电子科技有限公司
2SC5084YTE85LF
TOSHIBA/东芝
24+
SC-59
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
询价
深圳市宇创芯科技有限公司
2SC5085-Y(TE85L,F)
TOSHIBA/东芝
24+
SOT-323
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价

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    2SC5569G-SOT89R-TG

    2023-1-30

  • 2SC5015-T1

    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13

  • 2SC5299

    2SC5299，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-24

  • 2SC4617TLR

    深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生

    2020-4-22

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