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isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 50V(Min) ·High Switching Speed ·Low Collector Saturation Voltage-: VCE(sat)= 0.4V(Max)@ (IC= 2.5A, IB= 125mA) APPLICATIONS ·Designed for high current switching applications.

ISC

无锡固电

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 50V(Min) ·High Switching Speed ·Low Collector Saturation Voltage-: VCE(sat)= 0.4V(Max)@ (IC= 2.5A, IB= 125mA) APPLICATIONS ·Designed for high current switching applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Low saturation voltage ·High speed switching time APPLICATIONS ·High current switching applications

SAVANTIC

Silicon NPN Power Transistors

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SAVANTIC

High-Current Switching Applications

文件:128.59 Kbytes Page:4 Pages

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-25 16:04:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA(东芝)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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TO-220F
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TOS
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TOSHIBA
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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专注配单,只做原装进口现货
TOSHIBA/东芝
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一级代理原装正品,价格优势,支持实单!

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