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Low-Frequency General-Purpose Amp, Muting Applications

Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Muting Applications Features · Adoption of FBET process. · High DC current gain. · High VEBO (VEBO≥25V). · High reverse hFE (150 typ). · Small ON resistance [Ron=1Ω (IB=5mA)]. · Very small-sized package permitting 2SC4695-applied sets

SANYO

三洋

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

Features Adoption of FBET process. High DC current gain. High VEBO (VEBO 25V). High reverse hFE (150 typ). Small ON resistance [Ron=1W (IB=5mA)].

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科信电子

更新时间:2026-1-3 17:00:01
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