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NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)

Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low saturation voltage: VCE (sat)= 0.5 V (max) (IC= 1 A) • High collector power dissipation: PC= 900 mW • High-speed switching: tstg= 500 ns (typ.) • Complementary to 2SA1680

TOSHIBA

东芝

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Power Amplifier Applications

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TOSHIBA

东芝

2SC4408(TE6,F,M)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC4408(TE6,F,M)

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT Transistor NPN, 50V, 2A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-22 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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