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High-hFE, AF Amp Applications

High-hFE, AF Amplifier Applications Features • Adoption of MBIT process. • High DC current gain (hFE=800 to 3200). • Large current capacity (IC=2A). • Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)≤0.3V). • High VEBO (VEBO≥15V).

SANYO

三洋

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

Features ● Adoption of MBIT process. ● High DC current gain (hFE=800 to 3200). ● Large current capacity (IC=2A). ● Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat) ≤ 0.3V). ● High VEBO (VEBO ≥ 15V).

KEXIN

科信电子

更新时间:2025-12-31 21:38:01
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