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FORHIGHCURRENTDRIVEAMPLIFYAPPLICATIONSILICONNPNEPITAXIALTYPE

DESCRIPTION 2SC4357isasiliconNPNepitaxialtypetransistordesignedforhighcollectorcurrent,forhighvoltage. FEATURES ●HighvoltageVCEO=60V ●Highcollectorcurrent(IC=2A) ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=0.5Vmax(@IC=1A,IB=50mA) ●Highcollectordissip

ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation

Isahaya电子公司

ISAHAYA
更新时间:2024-5-29 20:20:01
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