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NPNEPITAXIALPLANARTYPE(HIGHFREQUENCYFM,RF,MIX,IFAMPLIFIERAPPLICATIONS)

HighFrequencyAmplifierApplications FM,RF,MIX,IFAmplifierApplications •Smallreversetransfercapacitance:Cre=0.55pF(typ.) •Lownoisefigure:NF=2dB(typ.)(f=100MHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

SiliconNPNEpitaxial

Features ●Smallreversetransfercapacitance:Cre=0.55pF(typ.) ●Lownoisefigure:NF=2dB(typ.)(f=100MHz)

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

NPNSiliconTransistor

NPNSiliconTransistorP/bLead(Pb)-Free FEATURES: *Powerdissipation

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES •Smallreversetransfercapacitance:Cre=0.55pF(typ.) •Lownoisefigure:NF=2dB(typ.)(f=100MHz)

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司

HTSEMI

SiliconNPNEpitaxialPlanarTypeHighFrequencyAmplifierApplications

文件:519.5 Kbytes Page:5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-5-29 19:04:01
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