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NPNEPITAXIALTYPE(FORMUTINGANDSWITCHIGAPPLICATIONS)

ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

SiliconNPNEpitaxial

Features ●Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min). ●HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=-2V,IC=-4mA). ●Lowonresistance:RON=1Ù(typ.)(IB=5mA). ●HighDCcurrentgain:hFE=2001200. ●Smallpackage.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

ForMutingandSwitchingApplications

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

ForMutingandSwitchingApplications

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)ForMutingandSwitchingApplications

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-31 21:04:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
23+
SC-70
12700
买原装认准中赛美
TOSHIBA/东芝
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