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2SC326晶体管资料

  • 2SC326别名：2SC326三极管、2SC326晶体管、2SC326晶体三极管

  • 2SC326生产厂家：日本冲电气工业股份公司

  • 2SC326制作材料：Si-NPN

  • 2SC326性质：超高频/特高频 （UHF）

  • 2SC326封装形式：直插封装

  • 2SC326极限工作电压：20V

  • 2SC326最大电流允许值：0.05A

  • 2SC326最大工作频率：1GHZ

  • 2SC326引脚数：3

  • 2SC326最大耗散功率：0.25W

  • 2SC326放大倍数：

  • 2SC326图片代号：D-13

  • 2SC326vtest：20

  • 2SC326htest：1000000000

  • 2SC326atest：0.05

  • 2SC326wtest：0.25

  • 2SC326代换 2SC326用什么型号代替：BF180,BF362,BF363,BF357,BF377,BFR37,BFW30,BFX73,2SC2570(A),3DG44A,

2SC326价格

参考价格：￥12.6935

型号：2SC3263 品牌：Sanken 备注：这里有2SC326多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SC326批发/采购报价，2SC326行情走势销售排行榜，2SC326报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC3263

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1294) Application : Audio and General Purpose

SANKEN

三垦

2SC3263

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO= 230V(Min) • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SA1294 APPLICATIONS • Designed for audio and general purpose applications

ISC

无锡固电

2SC3263

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SA1294 APPLICATIONS • Audio and general purpose

SAVANTIC

2SC3264

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With MT-200 package • Complement to type 2SA1295 APPLICATIONS • Audio and general purpose applications

SAVANTIC

2SC3264

POWER TRANSISTORS(17A,230V,200W)

HIGH-POWER NPN SILICON POWER TRANSISTORS ... designed for use in general-purpose amplifier and switching application. FEATURES: * Recommended for 150W high fidelity audio frequency amplifier output stage * Complementary to 2SA1295

MOSPEC

统懋

2SC3264

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1295) Application : Audio and General Purpose

SANKEN

三垦

2SC3264

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO= 230V(Min) • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SA1295 APPLICATIONS • Designed for audio and general purpose applications.

ISC

无锡固电

2SC3264

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO= 230V(Min) • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SA1295 APPLICATIONS • Designed for audio and general purpose applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SC3264

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1295) Application : Audio and General Purpose

ALLEGRO

2SC3264

双极型晶体管

硅 NPN 平面外延型三极管 ・适用于功放输出段。\n・采用具有出色的高频率特性的 LAPT 结构。\n・有配对品。\n・ASO 较广。;

SANKEN

三垦

2SC3264

NPN硅外延平面晶体管 (Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor)

NPN硅外延平面晶体管 (Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor)

ALLEGRO

2SC3265

丝印代码：EO；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES * High DC current gain * Complementary to KTA1298

UMW

友台半导体

2SC3265

Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications

Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications High DC current gain: hFE (1) = 100~320 Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 500 mA, IB = 20 mA) Complementary to 2SA1298

TOSHIBA

东芝

2SC3265

NPN EPITAXIAL TYPE (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER, POWER SWITCHING APPLICATIONS)

Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications High DC current gain: hFE (1) = 100~320 Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 500 mA, IB = 20 mA) Complementary to 2SA1298

TOSHIBA

东芝

2SC3265

Silicon NPN Epitaxial

Features ● High DC current gain: hFE (1) = 100320. ● Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 500 mA, IB = 20 mA).

KEXIN

科信电子

2SC3265-O

NPN General Purpose Amplifier

Features · Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) · Power switching application · Complementary to 2SA1298 · Low frequency power amplifier application · Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating · Moisure Sensitivity L

MCC

2SC3265Y

Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications

Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications High DC current gain: hFE (1) = 100~320 Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 500 mA, IB = 20 mA) Complementary to 2SA1298

TOSHIBA

东芝

2SC3265-Y

NPN General Purpose Amplifier

Features · Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) · Power switching application · Complementary to 2SA1298 · Low frequency power amplifier application · Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating · Moisure Sensitivity L

MCC

2SC3266

NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)

Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 2 A) • Complementary to 2SA1296

TOSHIBA

东芝

2SC3267

NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, SWICHING APPLICATIONS)

Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) @IC = 2 A • Complementary to 2SA1297

TOSHIBA

东芝

2SC3267

MINI PACKAGE SERIES

Application General Purpose > Low Noise High Voltage High Current High Current Low Impedance Low Noise (NEW Audio Drive & Out NEW High B Muting & SW FM RF, MIX OSC AM CONV. FM/AM IF AM FF, CONV IF FM/AM RF, MIX OSC Application General Purpose High IYfsl Low Noise Analog SW & Ge

TOSHIBA

东芝

2SC3268

SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications • NF = 1.7dB, |S21e|2 = 15.0dB (f = 500 MHz) • NF = 2dB, |S21e|2 = 9.5dB (f = 1000 MHz)

TOSHIBA

东芝

2SC3263

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor

文件：34.37 Kbytes Page：1 Pages

SANKEN

三垦

2SC3263

Silicon NPN Power Transistor

文件：136.45 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SC3263

Silicon NPN Power Transistors

文件：178.91 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

2SC3263

音频功放晶体管

THUNDERSOFT

中科创达

2SC3263_07

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor

文件：33.9 Kbytes Page：1 Pages

SANKEN

三垦

2SC3264

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor

文件：34.22 Kbytes Page：1 Pages

SANKEN

三垦

2SC3264

Silicon NPN Power Transistors

文件：168.83 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

2SC3264

封装/外壳：3-ESIP 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 230V 17A MT-200 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

SANKEN

三垦

2SC3264_07

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor

文件：33.75 Kbytes Page：1 Pages

SANKEN

三垦

2SC3265

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

文件：98.08 Kbytes Page：1 Pages

WINNERJOIN

永而佳

2SC3265

NPN Transistors

文件：582.76 Kbytes Page：3 Pages

YFWDIODE

佑风微

2SC3265

Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件：86.8 Kbytes Page：3 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3265

Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件：184.22 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3265_03

Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件：86.8 Kbytes Page：3 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3265_15

NPN Transistors

文件：1.01269 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3265_15

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

文件：98.08 Kbytes Page：1 Pages

WINNERJOIN

永而佳

2SC3265-HF_15

NPN Transistors

文件：1.02606 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3265LT1

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

文件：98.08 Kbytes Page：1 Pages

WINNERJOIN

永而佳

2SC3265-O

NPN General Purpose Amplifier

文件：395.86 Kbytes Page：3 Pages

MCC

2SC3265-O

丝印代码：EO；NPN Transistors

文件：582.76 Kbytes Page：3 Pages

YFWDIODE

佑风微

2SC3265-O

NPN Transistors

文件：1.01269 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3265-O_13

NPN General Purpose Amplifier

文件：395.86 Kbytes Page：3 Pages

MCC

2SC3265-O-TP

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：带盒（TB） 描述：TRANS NPN 30V 0.8A SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCC

2SC3265-Y

NPN General Purpose Amplifier

文件：395.86 Kbytes Page：3 Pages

MCC

2SC3265-Y

NPN Transistors

文件：1.01269 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3265-Y

丝印代码：EY；NPN Transistors

文件：582.76 Kbytes Page：3 Pages

YFWDIODE

佑风微

2SC3265YTE85L

Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件：184.22 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3266

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件：96.89 Kbytes Page：3 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3266_03

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件：96.89 Kbytes Page：3 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3267

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件：126.98 Kbytes Page：3 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3267_03

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件：126.98 Kbytes Page：3 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3269

丝印代码：T103；TRANSISTORS TO 92L TO-92LS MRT

文件：195.39 Kbytes Page：2 Pages

ROHM

罗姆

2SC3269

1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE

文件：88.13 Kbytes Page：2 Pages

ROHM

罗姆

2SC326产品属性

  • 类型

    描述

  • IC：

    15A

  • PC：

    130W

  • hFEmin：

    50

  • hFEmax：

    140

  • hFE条件VCE：

    4V

  • hFE条件IC：

    5A

  • VCE（sat）max：

    2V

  • 配对：

    2SA1294

2SC326供应商更多...

更新时间：2026-5-14 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科芯源微电子有限公司
2SC3266-Y
TOSHIBA/东芝
2026+
TO92
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
询价
深圳市联世界科技有限公司
2SC3266-Y(TPE2,F)
TOSHIBA
24+/25+
6000
原装正品现货库存价优
询价
深圳市豪迈兴电子有限公司
2SC3269
SANYO
24+
TO92L
4231
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
询价
深圳市腾亿芯科技有限公司
2SC3268
TOSHIBA/东芝
25+
SOT-89
20000
原装
询价
深圳市振宏微科技有限公司
2SC3268
SOT-89
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
询价
深圳市凯睿晟科技有限公司
2SC3268
TOSHIBA/东芝
21+
SOT-89
33200
优势供应 实单必成 可13点增值税
询价
深圳市华斯顿科技有限公司
2SC3268/ME
Toshiba
25+23+
Sot-89
32906
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
深圳市一线半导体有限公司
2SC3266-L
NEC
24+
TO-92
5000
询价
深圳市拓亿芯电子有限公司
2SC3268
TOSHIBA
25+
SOT-89
30000
代理全新原装现货,价格优势
询价
深圳市创新迹电子有限公司
2SC3268
TOSHIBA/东芝
22+
SOT-89
20000
只做原装
询价

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  • 2SC3356

    2SC3356,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.

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  • 2SC380TM-O

    只做原装假一赔十

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  • 2SC3671-B,T2F(J

    产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Toshiba 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 系列: 2SC3671 技术: Si 商标: Toshiba 产品类型: BJTs - Bipolar Transistors 子类别: Transistors

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