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2SC3112晶体管资料

  • 2SC3112别名:2SC3112三极管、2SC3112晶体管、2SC3112晶体三极管

  • 2SC3112生产厂家:日本东芝公司

  • 2SC3112制作材料:Si-NPN

  • 2SC3112性质:HI_BETA

  • 2SC3112封装形式:直插封装

  • 2SC3112极限工作电压:50V

  • 2SC3112最大电流允许值:0.15A

  • 2SC3112最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2SC3112引脚数:3

  • 2SC3112最大耗散功率:0.4W

  • 2SC3112放大倍数:β=1500

  • 2SC3112图片代号:A-20

  • 2SC3112vtest:50

  • 2SC3112htest:999900

  • 2SC3112atest:0.15

  • 2SC3112wtest:0.4

  • 2SC3112代换 2SC3112用什么型号代替:2SC3622,2SD1010,3DG112B,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC3112

TRANSISTOR (FOR AUDIO AMPLIFIER AND SWITCHING APPLICATIONS)

For Audio Amplifier and Switching Applications • High DC current gain: hFE= 600~3600 • High breakdown voltage: VCEO= 50 V • High collector current: IC= 150 mA (max)

TOSHIBA

东芝

2SC3112

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Audio Amplifier and Switching Applications

文件:459.63 Kbytes Page:4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3112

Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Audio Amplifier and Switching Applications

TOSHIBA

东芝

2SC3112

小信号晶体管

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Audio Amplifier and Switching Applications

文件:459.63 Kbytes Page:4 Pages

TOSHIBA

东芝

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for general purpose and switching applications.

SEMTECH_ELEC

先之科半导体

2SC3112产品属性

  • 类型

    描述

  • Ptot:

    0.3

  • IC:

    0.15

  • VCBO:

    50

  • VCEO:

    50

  • VEBO:

    5

  • hFE_VCE(V):

    6

  • hFE_IC(mA):

    2

  • Package Outline:

    TO-92

  • Arrays:

    ECB

更新时间:2026-8-1 17:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
2540+
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8595
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9675
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50000
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2023+
TO-92
58000
进口原装,现货热卖

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