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位置：首页 > IC中文资料第5645页 > 2SC306

2SC306晶体管资料

  • 2SC306别名：2SC306三极管、2SC306晶体管、2SC306晶体三极管

  • 2SC306生产厂家：日本三菱公司

  • 2SC306制作材料：Si-NPN

  • 2SC306性质：通用型 （Uni）

  • 2SC306封装形式：直插封装

  • 2SC306极限工作电压：50V

  • 2SC306最大电流允许值：0.5A

  • 2SC306最大工作频率：240MHZ

  • 2SC306引脚数：3

  • 2SC306最大耗散功率：0.57W

  • 2SC306放大倍数：

  • 2SC306图片代号：C-40

  • 2SC306vtest：50

  • 2SC306htest：240000000

  • 2SC306atest：0.5

  • 2SC306wtest：0.57

  • 2SC306代换 2SC306用什么型号代替：BC140,BC141,BC300,BC301,BC302,BFX96,BFX97,BSW51,BSW52,2N2217,2N2218,2N2219,2N3053,3DK4B,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC3060

Silicon High Speed Power Transistor

DESCRIPTION This series silicon NPN planer general purpose, high power switching transistors fabricated with Fujitsus unique Ring Emitter Transistor (RET) technology. Features • High Voltage • Ultra-fast switching • Large safe operating area Applications • Switching regulators • Motor cont

Fujitsu

富士通

2SC3060

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Ultra-fast switching • Wide area of safe operation • High breakdown voltage APPLICATIONS • Switching regulators • Motor controls • Ultrasonic oscillators • Class C and D amplifiers • Deflection circuits

SAVANTIC

2SC3060

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Ultra-fast switching • Wide area of safe operation • High breakdown voltage APPLICATIONS • Switching regulators • Motor controls • Ultrasonic oscillators • Class C and D amplifiers • Deflection circuits

ISC

无锡固电

2SC3060

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 850V(Min) • High Switching Speed • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Switching regulators • Motor controls • Ultrasonic generators • Class C and D amplifiers • Deflection circuits

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2SC3061

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Ultra-fast switching ·Wide area of safe operation ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·Switching regulators ·Motor controls ·Ultrasonic oscillators ·Class C and D amplifiers ·Deflection circuits

ISC

无锡固电

2SC3061

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Ultra-fast switching ·Wide area of safe operation ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·Switching regulators ·Motor controls ·Ultrasonic oscillators ·Class C and D amplifiers ·Deflection circuits

SAVANTIC

2SC3061

Silicon High Speed Power Transistor

DESCRIPTION This series silicon NPN planer general purpose, high power switching transistors fabricated with Fujitsus unique Ring Emitter Transistor (RET) technology. Features • High Voltage • Ultra-fast switching • Large safe operating area Applications • Switching regulators • Motor cont

Fujitsu

富士通

2SC3063

Silicon NPN triple diffusion planar type(For TV video output amplification)

For TV video output amplification ■ Features • High collector to emitter voltage VCEO • Small collector output capacitance Cob • TO-126B package which requires no insulation plate for installation to the heat sink

Panasonic

松下

2SC3063

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-126 package ·High VCEO ·Low COB APPLICATIONS ·For TV video output amplification

SAVANTIC

2SC3063

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-126 package ·High VCEO ·Low COB APPLICATIONS ·For TV video output amplification

JMNIC

锦美电子

2SC3063

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-126 package ·High VCEO ·Low COB APPLICATIONS ·For TV video output amplification

ISC

无锡固电

2SC3063

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 300V(Min) • Good Linearity of hFE • Low Saturation Voltage APPLICATIONS • Designed for TV video output amplification.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2SC3063

Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package.

Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. Features High VCEO, low Cob. Applications Video output amplifier.

FOSHAN

蓝箭电子

2SC3064

NPN Epitaxial Planar Silicon CompositeTransistor

NPN Epitaxial Planar Silicon CompositeTransistor

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

2SC3065

NPN Epitaxial Planar Silicon CompositeTransistor

Differential Amp Applications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

2SC3066

DIFFERENTIAL AMP APPLICATIONS

DIFFERENTIAL AMP APPLICATIONS Features • Excellent in thermal equilibrium and suited for use in differential amp applications. • Matched pair capability. Applications • Differential amp, current mirror

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

2SC3067

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor DIFFERENTIAL AMP APPLICATIONS

DIFFERENTIAL AMP APPLICATION

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

2SC3068

High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications????

High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features · High DC current gain (hFE=800 to 3200). · Large current capacity. · Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)=0.5V max). · High VEBO (VEBO≥15V). Applications · Low-frequency, general-purp

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

2SC3069

High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications????

High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • High DC current gain (hFE=800 to 3200). • Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)=0.5V max). • High VEBO (VEBO≥15V). Applications • Low-frequency, general-purpose amplifier., various drivers, muting circu

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

2SC3060

Silicon NPN Power Transistors

文件：121 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SC3061

Silicon NPN Power Transistors

文件：120.98 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SC3061

Silicon NPN Power Transistor

文件：138.05 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2SC3063

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 300V 0.1A TO126B-A1 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

PanasonicElectronicComponents

2SC3063

Silicon NPN Power Transistors

文件：125.61 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

2SC3063_15

Silicon NPN Power Transistors

文件：176.69 Kbytes Page：4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SC3063_2014

Silicon NPN Power Transistors

文件：176.69 Kbytes Page：4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SC306产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC306

  • 制造商

    SAVANTIC

  • 制造商全称

    Savantic, Inc.

  • 功能描述

    Silicon NPN Power Transistors

2SC306供应商更多...

更新时间：2025-8-7 9:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
现代芯城（深圳）科技有限公司
2SC3070-AE
24+
N/A
67000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
深圳市勤思达科技有限公司
2SC3072
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TO-252
15000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
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深圳市永贝尔科技有限公司
2SC3072
KEXIN
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NA
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只做进口原装,终端工厂免费送样
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瀚佳科技(深圳)有限公司
2SC3070
24+
TO-92L
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一级代理/放心采购
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深圳市腾亿芯科技有限公司
2SC307
ST
25+
CAN to-39
16900
原装，请咨询
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深圳市昌和盛利电子有限公司
2SC3072
TOSHIBA
23+
TO-252
9526
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深圳市恒创达实业有限公司
2SC3072
TOS进口原
17+
TO-126
6200
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深圳市卓越微芯电子有限公司
2SC3071
三洋
2020+
TO-92
11160
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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深圳市航润创能电子集团有限公司
2SC3071
SNAYO
21+
TO-92
5580
原装现货假一赔十
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深圳市弘为电子有限公司
2SC3070
24+
TO-92L
510
原装现货假一罚十
询价

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  • 2SC3356

    2SC3356,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.

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  • 2SC380TM-O

    只做原装假一赔十

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    产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Toshiba 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 系列: 2SC3671 技术: Si 商标: Toshiba 产品类型: BJTs - Bipolar Transistors 子类别: Transistors

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