| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SC2715M | TRANSISTOR DESCRIPTION NPNEpitaxialplanarSiliconTransistor FEATURES Highpowergain:Gpe=27dB(f=10.7MHz) RecommendedforFMIF,OSCStageandAMCONV.IFStage APPLICATION HighFrequencyamplifier Forportableequipment:(i.e.Mobilephone,MP3,MD,CD-ROM,DVD-ROM,NotebookPC,etc.) | JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd |  |   |
TRANSISTOR(HIGHFREQUENCYAMPLIFIERAPPLICATIONS) HighFrequencyAmplifierApplications •Highpowergain:Gpe=30dB(typ.)(f=10.7MHz) •RecommendedforFMIF,OSCstageandAMCONV.IFstage. | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |  | | |
SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES •Powerdissipation. APPLICATIONS •Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications. | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司 |  | | |
SiliconNPNEpitaxial Features ●Highpowergain:Gpe=2dB(typ.)(f=10.7MHz). ●RecommendedforFMIF,OSCstageandAMCONV.IFstage. | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 |  | | |
NPNPlastic-EncapsulateTransistor FEATURES •HighPowerGain •RecommendedforFMIF,OSCStageandAMCONV.IFStage. | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 |  | | |
SiliconNPNEpitaxialPlanarType(PCTprocess) 文件：972.72 Kbytes Page：8 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
2021+ |
SOT-23 |
663000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT23 |
9000 |
进口原装现货支持实单欢迎来电 |
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TOSHIBA/东芝 |
SOT-23 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT-23 |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
TOSHIBA |
2008++ |
SOT-23 |
8800 |
新进库存/原装 |
|||
WEJ |
22+ |
SOT-23 |
33784 |
原装正品现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT23-3 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
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TOSHIBA东芝 |
24+23+ |
SOT-23 |
12580 |
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品 |
|||
TOSHIBA |
08+ |
SOT-23 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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