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TRANSISTOR (2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)(LOW SUPPLY VOLTAGE USE)

2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUPPLY VOLTAGE USE) ● Specified 12.5V, 28MHz Characteristics ● Output Power : Po = 60WPEP (Min.) ● Power Gain : Gp = 11.8dB (Min.) ● Collector Efficiency : ηC = 35 (Min.) ● Intermodulation Distortion : IMD = −30dB (Max.)

TOSHIBA

东芝

2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUPPLY VOLTAGE USE)

2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUPPLY VOLTAGE USE) ● Specified 12.5V, 28MHz Characteristics ● Output Power : Po = 60WPEP (Min.) ● Power Gain : Gp = 11.8dB (Min.) ● Collector Efficiency : ηC = 35 (Min.) ● Intermodulation Distortion : IMD = −30dB (Max.)

TOSHIBA

东芝

SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-25 10:51:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
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专营高频管模块,全新原装!
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