2SC216晶体管资料
2SC216别名：2SC216三极管、2SC216晶体管、2SC216晶体三极管
2SC216生产厂家：日本富士通公司
2SC216制作材料：Si-NPN
2SC216性质：射频/高频放大 （HF）_开关管 （S）
2SC216封装形式：直插封装
2SC216极限工作电压：50V
2SC216最大电流允许值：0.3A
2SC216最大工作频率：>100MHZ
2SC216引脚数：3
2SC216最大耗散功率：0.65W
2SC216放大倍数：
2SC216图片代号：C-40
2SC216vtest：50
2SC216htest：100000100
- 2SC216atest：0.3
2SC216wtest：0.65
2SC216代换 2SC216用什么型号代替：BC140,BC141,BC300,BC301,BC302,BFX96,BSW51,BSW52,BSW53,BSW54,2N2217,2N2218,2N2219,2N3053,3DG182A,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)? DESCRIPTION 2SC2166 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in HF band mobile radio applications. APPLICATION 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. | MITSUBISHI 三菱电机 |   | ||
Silicon NPN Transistor Final RF Power Output Silicon NPN Power Transistor Final RF Power Output The 2SC2166 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in HF band mobile radio applications. APPLICATION 3 to 4 Watt Output Power Class AB Amplifiers in HF Band | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Power Gain- : Gpe≥ 13.8dB @f= 27MHz, PO= 6W; VCC= 12V ·High Reliability APPLICATIONS ·Designed for 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. | JMNIC 锦美电子 | | ||
High Reliability DESCRIPTION • High Power Gain- : Gpe≥ 13.8dB @f= 27MHz, PO= 6W; VCC= 12V • High Reliability APPLICATIONS • Designed for 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. | ISC 无锡固电 | | ||
3 to 4 watts output power amplifiers in VHF band mobile radio applications. DESCRIPTION 2SC2166 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in HF band mobile radio applications. APPLICATION 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. | ELEFLOW | | ||
Silicon NPN Power Transistor 文件：32.13 Kbytes Page：2 Pages | JMNIC 锦美电子 | | ||
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE RF Power Transistor | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE RF Power Transistor | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | ||
Trans GP BJT NPN 75V 4A 3-Pin(3+Tab) T-30 | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
Silicon NPN Power Transistor 文件：32.13 Kbytes Page：2 Pages | JMNIC 锦美电子 | | ||
Silicon NPN Power Transistor 文件：32.13 Kbytes Page：2 Pages | JMNIC 锦美电子 | | ||
Silicon NPN Power Transistor 文件：126.76 Kbytes Page：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
Silicon NPN Power Transistors 文件：90.71 Kbytes Page：3 Pages | SAVANTIC | | ||
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isc Silicon NPN Power Transistor 文件：245.41 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
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Silicon NPN Power Transistor 文件：128.68 Kbytes Page：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | |
2SC216产品属性
- 类型
描述
- Output Power：
7.5(Typ)W
- Number of Elements per Chip：
1
- Minimum DC Current Gain：
35@0.1A@10V
- Maximum Operating Temperature：
150°C
- Maximum Emitter Base Voltage：
5V
- Maximum DC Collector Current：
4A
- Maximum Collector Emitter Voltage：
75V
- Maximum Collector Base Voltage：
75V
- Configuration：
Single
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI/三菱 |
25+ |
90000 |
全新原装现货 |
||||
SANKEN |
24+ |
TO-220 |
62300 |
原装现货/放心购买 |
|||
SANKEN |
23+ |
TO-220 |
2607 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
SANKEN |
25+ |
TO-220 |
10000 |
全新原装现货库存 |
|||
SANKEN |
26+ |
TO-220 |
60000 |
只有原装,可配单 |
|||
MITSBISHI |
24+ |
TO-220 |
166 |
现货供应 |
|||
MIT |
24+ |
原厂封装 |
2500 |
原装现货假一罚十 |
|||
SK |
2026+ |
TO220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
MITSUBISH三凌 |
20+ |
TO-220 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
三菱 |
24+/25+ |
TO220 |
2995 |
原装正品现货库存价优 |
2SC216规格书下载地址
2SC216参数引脚图相关
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