2SC2166晶体管资料
2SC2166别名：2SC2166三极管、2SC2166晶体管、2SC2166晶体三极管
2SC2166生产厂家：日本三菱公司
2SC2166制作材料：Si-NPN
2SC2166性质：射频/高频放大 （HF）_功率放大 （L）
2SC2166封装形式：直插封装
2SC2166极限工作电压：75V
2SC2166最大电流允许值：4A
2SC2166最大工作频率：27MHZ
2SC2166引脚数：3
2SC2166最大耗散功率：6W
2SC2166放大倍数：
2SC2166图片代号：B-10
2SC2166vtest：75
2SC2166htest：27000000
- 2SC2166atest：4
2SC2166wtest：6.0001
2SC2166代换 2SC2166用什么型号代替：2SC1944,2SC1969,2SC2043,2SC2098,2SC2119,3DA22B,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SC2166 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)? DESCRIPTION 2SC2166 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in HF band mobile radio applications. APPLICATION 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. | MITSUBISHI 三菱电机 |   | |
2SC2166 | Silicon NPN Transistor Final RF Power Output Silicon NPN Power Transistor Final RF Power Output The 2SC2166 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in HF band mobile radio applications. APPLICATION 3 to 4 Watt Output Power Class AB Amplifiers in HF Band | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
2SC2166 | Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Power Gain- : Gpe≥ 13.8dB @f= 27MHz, PO= 6W; VCC= 12V ·High Reliability APPLICATIONS ·Designed for 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. | JMNIC 锦美电子 | | |
2SC2166 | 3 to 4 watts output power amplifiers in VHF band mobile radio applications. DESCRIPTION 2SC2166 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in HF band mobile radio applications. APPLICATION 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. | ELEFLOW | | |
2SC2166 | High Reliability DESCRIPTION • High Power Gain- : Gpe≥ 13.8dB @f= 27MHz, PO= 6W; VCC= 12V • High Reliability APPLICATIONS • Designed for 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. | ISC 无锡固电 | | |
2SC2166 | Silicon NPN Power Transistor 文件：32.13 Kbytes Page：2 Pages | JMNIC 锦美电子 | | |
2SC2166 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE RF Power Transistor | MITSUBISHI 三菱电机 | | |
2SC2166 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE RF Power Transistor | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | |
2SC2166 | Trans GP BJT NPN 75V 4A 3-Pin(3+Tab) T-30 | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
Silicon NPN Power Transistor 文件：32.13 Kbytes Page：2 Pages | JMNIC 锦美电子 | | ||
Silicon NPN Power Transistor 文件：32.13 Kbytes Page：2 Pages | JMNIC 锦美电子 | |
2SC2166产品属性
- 类型
描述
- Output Power：
7.5(Typ)W
- Number of Elements per Chip：
1
- Minimum DC Current Gain：
35@0.1A@10V
- Maximum Operating Temperature：
150°C
- Maximum Emitter Base Voltage：
5V
- Maximum DC Collector Current：
4A
- Maximum Collector Emitter Voltage：
75V
- Maximum Collector Base Voltage：
75V
- Configuration：
Single
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANKEN |
25+23+ |
TO-220 |
18769 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
SK |
2026+ |
TO220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
3000 |
24+ |
30000 |
|||||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
三菱 |
23+ |
TO-220 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
MITSUBISH三凌 |
20+ |
TO-220 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
SANKEN |
03+ |
TO-220 |
2607 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
MITSUBISHI |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
SANKEN |
23+ |
TO-220 |
2607 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
- |
23+ |
TO-220 |
103092 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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2SC2166规格书下载地址
2SC2166参数引脚图相关
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