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2SC1622晶体管资料

  • 2SC1622别名:2SC1622三极管、2SC1622晶体管、2SC1622晶体三极管

  • 2SC1622生产厂家:日本日电公司

  • 2SC1622制作材料:Si-NPN

  • 2SC1622性质:表面帖装型 (SMD)_通用型 (Uni)

  • 2SC1622封装形式:贴片封装

  • 2SC1622极限工作电压:40V

  • 2SC1622最大电流允许值:0.1A

  • 2SC1622最大工作频率:110MHZ

  • 2SC1622引脚数:3

  • 2SC1622最大耗散功率

  • 2SC1622放大倍数

  • 2SC1622图片代号:H-15

  • 2SC1622vtest:40

  • 2SC1622htest:110000000

  • 2SC1622atest:0.1

  • 2SC1622wtest:0

  • 2SC1622代换 2SC1622用什么型号代替:BC846,BC847,BCW71,BCW72,BCW81,BCX70,3DG120B,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC1622

AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES ● High DC Current Gain: hFE = 600 TYP. (VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA)

NEC

瑞萨

AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES ● High DC Current Gain: hFE = 600 TYP. (VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA)

NEC

瑞萨

NPN Silicon Epitaxial Transistor

NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● High DC current gain.

KEXIN

科信电子

Small Signal Bipolar Transistors

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RENESAS

瑞萨

Old Company Name in Catalogs and Other Documents

文件:363.36 Kbytes Page:6 Pages

RENESAS

瑞萨

Low-frequency high-gain amplification silicon Tr.

NEC

瑞萨

2SC1622产品属性

  • 类型

    描述

  • VCEO (V):

    120

  • IC @25 °C (A):

    0.05

  • VCE (sat) (V):

    0.3

  • hFE:

    135-900

  • Pc (W):

    0.2

  • fT (Typical) (GHz):

    0.11

  • Cob (Typical) (pF):

    1.6

更新时间:2026-5-15 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
23+
SOT23/SOT323
20000
全新原装假一赔十
NEC
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SOT23
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
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SOT23/SOT323
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SOT23
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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25+
SOT-23
6000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
TOSHIBA/东芝
25+
SOT-23
20000
原装

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