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2SB907-252

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= -1A ·Fast switching speed ·Large current capacity ·Complementary to 2SD1222 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

更新时间:2025-11-23 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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