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2SB906-251

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

更新时间:2026-1-1 20:00:00
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