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2SB905晶体管资料
2SB905别名：2SB905三极管、2SB905晶体管、2SB905晶体三极管
2SB905生产厂家：日本东芝公司
2SB905制作材料：Si-PNP
2SB905性质：电视 （TV）_低频或音频放大 （LF）_输出极 （E）
2SB905封装形式：直插封装
2SB905极限工作电压：150V
2SB905最大电流允许值：1.5A
2SB905最大工作频率：50MHZ
2SB905引脚数：3
2SB905最大耗散功率：10W
2SB905放大倍数：
2SB905图片代号：A-80
2SB905vtest：150
2SB905htest：50000000
- 2SB905atest：1.5
2SB905wtest：10
2SB905代换 2SB905用什么型号代替：2SA1225,2SA1552,2SB768,2SB840,2SB841,2SB842,2SB1414,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB905 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • Complementary to SD1220 | TOSHIBA 东芝 |   | |
2SB905 | Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBA 东芝 | | |
2SB905 | Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -150V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= -0.2A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications | ISC 无锡固电 | | |
2SB905 | Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -150V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= -0.2A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications | ISC 无锡固电 | | |
2SB905 | Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Power Amplifier Applications | TOSHIBA 东芝 | | |
2SB905 | Power Amplifier Applications 文件：154.8 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
2SB905 | Power Amplifier Applications 文件：157.62 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -150V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= -0.2A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications | ISC 无锡固电 | | ||
Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -150V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= -0.2A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications | ISC 无锡固电 | | ||
Power Amplifier Applications 文件：154.8 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBA 东芝 | | ||
Power Amplifier Applications 文件：157.62 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
2SB905产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SB905
- 制造商
TOSHIBA
- 制造商全称
Toshiba Semiconductor
- 功能描述
TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Toshiba |
25+23+ |
To-252 |
28171 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
SOT252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
NEC |
24+ |
TO-252 |
8300 |
新进库存/原装 |
|||
TOSHIBA |
01+ |
SOT252 |
190 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Toshiba |
26+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
|||
TOSHIBA |
22+ |
SOT252 |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
|||
TOSHIBA |
1922+ |
NA |
9200 |
公司原装现货假一罚十特价欢迎来电咨询 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-252251 |
45000 |
TOSHIBA/东芝全新现货2SB905即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
|||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
TO-251 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
2SB905规格书下载地址
2SB905参数引脚图相关
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