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2SB905-251

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -150V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= -0.2A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

更新时间:2025-10-30 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
TOSHIBA/东芝
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TOSHIBA/东芝
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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原装进口公司现货假一赔百

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