2SB765(K)晶体管资料

  • 2SB765(K)别名:2SB765(K)三极管、2SB765(K)晶体管、2SB765(K)晶体三极管

  • 2SB765(K)生产厂家:日本日立公司

  • 2SB765(K)制作材料:Si-P+Darl+Di

  • 2SB765(K)性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2SB765(K)封装形式:直插封装

  • 2SB765(K)极限工作电压:120V

  • 2SB765(K)最大电流允许值:3A

  • 2SB765(K)最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2SB765(K)引脚数:3

  • 2SB765(K)最大耗散功率:30W

  • 2SB765(K)放大倍数:β>1000

  • 2SB765(K)图片代号:B-10

  • 2SB765(K)vtest:120

  • 2SB765(K)htest:999900

  • 2SB765(K)atest:3

  • 2SB765(K)wtest:30

  • 2SB765(K)代换 2SB765(K)用什么型号代替:BD652,BDT20,BDW54D,BDW64D,FC50C,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

MEDIUM SPEED AND POWER SWITCHING COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD864K

MEDIUM SPEED AND POWER SWITCHING COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD864K

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Complement to type 2SD864 APPLICATIONS ·For medium speed and power switching Applications

SAVANTIC

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= -1.5A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = -120V(Min) ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat) = -1.5V(Max)@ IC= -1.5A ·Complement to Type 2SD864 APPLICATIONS ·Medium speed an

ISC

无锡固电

Silicon PNP Power Transistors

文件:113.09 Kbytes Page:3 Pages

SAVANTIC

Silicon PNP Power Transistor

文件:77.68 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB765(K)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB765(K)

  • 功能描述

    TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 120V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB

更新时间:2025-11-22 11:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PANASONIC/松下
23+
SOT-89SC-62
50000
全新原装正品现货,支持订货
长晶科技
21+
SOT-89-3L
50
只做原装鄙视假货15118075546
长电
25+23+
SOT-89
24812
绝对原装正品全新进口深圳现货
24+
TO-220
10000
全新
CJ
23+
SOT-89
50000
全新原装正品现货,支持订货
长电
17PB
SOT-89
8000
现货
24+
N/A
47000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
HITACHI/日立
22+
TO-220F
6000
十年配单,只做原装
长电
2015
SOT-89
44000
NK/南科功率
2025+
SOT-89
986966
国产

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