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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
2SB740	SiliconPNPEpitaxial Application •Lowfrequencypoweramplifier •Complementarypairwith2SD789	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司
2SB740	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURE Powerdissipation PCM:0.9W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-70V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited
2SB740	SiliconPNPEpitaxial 文件：165.97 Kbytes Page：6 Pages	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SB740	TO-92MODPlastic-EncapsulateTransistors 文件：3.238 Mbytes Page：3 Pages	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司
2SB740	TRANSISTOR(PNP) 文件：140.21 Kbytes Page：1 Pages	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
2SB740BTZ-E	SiliconPNPEpitaxial 文件：165.97 Kbytes Page：6 Pages	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SB740CTZ-E	SiliconPNPEpitaxial 文件：165.97 Kbytes Page：6 Pages	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司

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更新时间：2025-6-5 11:50:00

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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
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2023-2-9
2SB649 MOS
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2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9