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2SB655	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -160V(Min) ·High Power Dissipation-: PC= 100W(Max)@TC=25℃ ·Complement to Type 2SD675 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifier applications.	ISC 无锡固电	ISC
2SB655	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION · With TO-3 package · Low collector saturation voltage · High power dissipation APPLICATIONS · Power amplifier applications · Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB655	Silicon PNP Power Transistors 文件：110.56 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB655	Silicon PNP Power Transistors 文件：126.39 Kbytes Page：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

2SB655A供应商更多...

更新时间：2025-12-25 20:00:01

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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
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2023-2-24
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2SB834L-TO220FT-O-TG_UTC代理商
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2023-2-9
2SB649 MOS
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2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9