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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB649AC | Transistors | WILLAS 威伦电子 |   | |
PNP Epitaxial Planar Transistors PNP Epitaxial Planar Transistors P/b Lead(Pb)-Free | WEITRON | | ||
BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS * Low frequency power amplifier complementary pair with UTC 2SD669/A | UTC 友顺 | | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2SD669/669A • High breakdown voltage VCEO:-120/-160V • High current -1.5A • Low saturation voltage,excellent hFE linearity APPLICATIONS • For low-frequency power amplifier applications | JMNIC 锦美电子 | | ||
PNP Type Plastic Encapsulate Transistors FEATURES Power smplifier applications Power dissipation PCM : 1W（Tamb=25℃） Collector current ICM : -1.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -180 V Operating and storage junction temperature range TJ，Tstg: -55℃ to +150 Collector-emitter voltage VC | SECOS 喜可士 | | ||
TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors 文件：63.42 Kbytes Page：1 Pages | TEL | |
2SB649AC产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SB649AC
- 功能描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TO-126 |
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2021-9-102SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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