| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB647L | PNP Plastic-Encapsulate Transistor 文件：340.98 Kbytes Page：2 Pages | MCC |   | |
2SB647L | PNP Plastic-Encapsulate Transistor | MCC | | |
中等功率双极型晶体管 | MCC | | ||
封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：带盒（TB） 描述：TRANS PNP 80V 1A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | MCC | | ||
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封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：带盒（TB） 描述：TRANS PNP 80V 1A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | MCC | | ||
SILICON PNP EPITAXIAL 文件：176.79 Kbytes Page：4 Pages | UTC 友顺 | | ||
SILICON PNP EPITAXIAL 文件：176.79 Kbytes Page：4 Pages | UTC 友顺 | | ||
Silicon PNP Epitaxial 1. Low frequency power amplifier 2. Complementary pair with 2SD667/A | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | ||
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SILICON PNP EPITAXIAL 文件：168.84 Kbytes Page：3 Pages | UTC 友顺 | | ||
Silicon PNP Epitaxial 文件：47.29 Kbytes Page：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon PNP Epitaxial 文件：47.29 Kbytes Page：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
2SB647L产品属性
- 类型
描述
- Product Polarity：
PNP
- SMD/ThroHole：
Through Hole
- VCEO (V)：
-80
- VCBO (V)：
-120
- VEBO (V)：
-5.0
- IC (A)：
-1.0
- PC (W)：
0.75
- HFE：
60-120
- @IC (mA)：
-150
- @VCE (V)：
-5.0
- ICBO：
-10 µA
- IEBO：
- VCE(sat) (V)：
-1.0
- VBE(sat) (V)：
-1.5
- FT (MHz)：
140
- Package Qty：
Bulk
- FIT：
48; Tj=100℃
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UTC/友顺 |
25+ |
TO-92NL |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
UTC |
25+ |
TO-92NL |
20000 |
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展 |
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2SB647L参数引脚图相关
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- 4921
- 4899
- 485接口
- 47471
- 4735
- 47301
- 4591
- 4536
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- 4069
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- 3q1
- 3g汽车
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2012-11-9
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