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芯片资料

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2SB647	Silicon PNP Epitaxial 文件：47.29 Kbytes Page：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB647	SILICON PNP EPITAXIAL 文件：168.84 Kbytes Page：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB647	Plastic-Encapsulated Transistors 文件：64.47 Kbytes Page：1 Pages	TEL 东电电子	TEL
2SB647	Silicon PNP Epitaxial 文件：170.71 Kbytes Page：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更新时间：2025-8-8 19:00:00

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2023-3-14
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2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9