2SB624R晶体管资料

  • 2SB624R别名:2SB624R三极管、2SB624R晶体管、2SB624R晶体三极管

  • 2SB624R生产厂家:日本日电公司

  • 2SB624R制作材料:Si-PNP

  • 2SB624R性质:表面帖装型 (SMD)_低频或音频放大 (LF)

  • 2SB624R封装形式:贴片封装

  • 2SB624R极限工作电压:30V

  • 2SB624R最大电流允许值:0.7A

  • 2SB624R最大工作频率:160MHZ

  • 2SB624R引脚数:3

  • 2SB624R最大耗散功率

  • 2SB624R放大倍数

  • 2SB624R图片代号:H-15

  • 2SB624Rvtest:30

  • 2SB624Rhtest:160000000

  • 2SB624Ratest:0.7

  • 2SB624Rwtest:0

  • 2SB624R代换 2SB624R用什么型号代替:BCW67R,BCW68R,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

PNP Epitaxial Planar Transistors

WEITRON

Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.7 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

TEL

Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES High DC current gain.hFE: 200TYP (VCE=-1.0V,IC=-100mA) Complimentary to the 2SD596. APPLICATIONS Audio frequency amplifier. Switching appilication.

BILIN

银河微电

PNP Silicon Epitaxial Transistor

■ Features ● High DC current gain. hFE:200 TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) ● Complimentary to 2SD596.

KEXIN

科信电子

PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor

FEATURES  High DC Current Gain. hFE:200 (Typ.) (VCE= -1V, IC= -100mA)  Complimentary to 2SD596

SECOS

喜可士

更新时间:2025-12-24 23:01:02
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