| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Complement to Type 2SD582 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= -140V(Min) ·High Power Dissipation-: PC= 100W(Max)@TC=25℃ ·Complement to Type 2SD582 APPLICATIONS ·Recommended for 80~100W audio amplifier output stage. | ISC 无锡固电 |   | ||
Silicon PNP Power Transistors 文件：126.14 Kbytes Page：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | |
更新时间：2026-5-24 16:30:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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24+ |
TO-3 |
10000 |
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HITACHI/日立 |
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33888 |
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