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2SB601-S	Silicon transistor	NEC 瑞萨	NEC
2SB601	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier and low-speed switching applications	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB601	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC current gain • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For low-frequency power amplifier and low-speed switching applications	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB601	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier and low-speed switching applications	ISC 无锡固电	ISC
2SB601	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING FEATURES • High-DC current gain due to Darlington connection • Low collector saturation voltage • Low collector cutoff current • Ideal for use in direct drive from IC output fo	NEC 瑞萨	NEC
2SB601	Silicon PNP Power Transistors 文件：118.7 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

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更新时间：2026-5-14 22:30:00

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www.jskj-ic.com
2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9