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2SB539	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB539	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) ·High Power Dissipation- : PC= 100W(Max)@TC=25℃ ·Complement to Type 2SD287 APPLICATIONS ·Designed for audio frequency power amplifier applications. ·Recommended for 70~80W high-fidelity audio f	ISC 无锡固电	ISC
2SB539	Silicon PNP Power Transistors 文件：110.6 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB539	Silicon PNP Power Transistors 文件：128.4 Kbytes Page：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

2SB539A供应商更多...

更新时间：2025-11-23 23:00:02

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2023-3-14
2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2022-3-30
2SB649 MOS
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2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9