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型号	功能描述	生产厂家&企业
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2SB539	iscSiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-120V(Min) ·HighPowerDissipation- :PC=100W(Max)@TC=25℃ ·ComplementtoType2SD287 APPLICATIONS ·Designedforaudiofrequencypoweramplifierapplications. ·Recommendedfor70~80Whigh-fidelityaudiof	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB539	SiliconPNPPowerTransistors 文件：110.6 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB539	SiliconPNPPowerTransistors 文件：128.4 Kbytes Page：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

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更新时间：2025-8-3 20:00:02

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2023-3-14
2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单价格优势有单必成
2022-3-30
2SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9