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2SB267100MA

LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

DESCRIPTION ➤ 2SB267100MA is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ➤ Due to special schottky barrier structure, the chips have very low reverse leakage current ( typical IR=0.002mA@Vr=100V ) and maximum 150°C operati

SILAN

士兰微

2SB267100MA

LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

SILAN

士兰微

2SB267100MA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB267100MA

  • 制造商

    SILAN

  • 制造商全称

    Silan Microelectronics Joint-stock

  • 功能描述

    LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

更新时间:2026-8-1 11:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PANASONIC/松下
22+
SOT-23
20000
只做原装
PANASONIC/松下
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SOT-23
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24+
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7500
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SOT23
5000
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