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2SB267100MA

LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

DESCRIPTION ➤ 2SB267100MA is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ➤ Due to special schottky barrier structure, the chips have very low reverse leakage current ( typical IR=0.002mA@Vr=100V ) and maximum 150°C operati

SILAN

士兰微

2SB267100MA

LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

SILAN

士兰微

2SB267100MA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB267100MA

  • 制造商

    SILAN

  • 制造商全称

    Silan Microelectronics Joint-stock

  • 功能描述

    LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

更新时间:2026-5-14 18:01:00
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