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2SB183060MA

LOWIRSCHOTTKYBARRIERDIODECHIPS

DESCRIPTION ➤2SB183060MAisaschottkybarrierdiodechipsfabricatedinsiliconepitaxialplanartechnology; ➤Duetospecialschottkybarrierstructure,thechipshaveverylowreverseleakagecurrent(typicalIR=0.002mA@Vr=100V)andmaximum150°Coperationjunctiontemper

SILANSilan

士兰

SILAN
更新时间:2024-4-30 17:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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