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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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2SB183060MA | LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION ➤ 2SB183060MA is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ➤ Due to special schottky barrier structure, the chips have very low reverse leakage current ( typical IR=0.002mA@ Vr=100V ) and maximum 150°C operation junction temper | SILAN 士兰微 |   |
更新时间：2025-12-30 20:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SANYO/三洋 |
25+ |
TO-220 |
54648 |
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ST |
25+ |
CAN to-39 |
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880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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SANYO/三洋 |
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原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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SILAN |
25+ |
CDIP |
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SOT-89 |
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NA |
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SANYO |
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ST |
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支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-302SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-102SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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