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2SB183060MA	LOWIRSCHOTTKYBARRIERDIODECHIPS DESCRIPTION ➤2SB183060MAisaschottkybarrierdiodechipsfabricatedinsiliconepitaxialplanartechnology; ➤Duetospecialschottkybarrierstructure,thechipshaveverylowreverseleakagecurrent(typicalIR=0.002mA@Vr=100V)andmaximum150°Coperationjunctiontemper	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司
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更新时间：2025-6-14 17:02:00

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2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9