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芯片资料

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2SB1672	Power Transistor (-80V, -7A) Features 1) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat) = −0.3V at IC / IB =−4A / −0.4A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Pc = 30W (Tc = 25°C). 4) Wide SOA (safe operating area). 5) Complements the 2SD2611.	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1672	Power Transistor (-80V, -7A)	ROHM 罗姆	ROHM

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更新时间：2025-12-25 18:10:00

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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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2023-2-24
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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支持实单价格优势有单必成
2022-3-30
2SB649 MOS
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2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9