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LOWIRSCHOTTKYBARRIERDIODECHIPS

DESCRIPTION ➤2SB166100MAisaschottkybarrierdiodechips fabricatedinsiliconepitaxialplanartechnology; ➤Duetospecialschottkybarrierstructure,thechips haveverylowreverseleakagecurrent(typical IR=0.002mA@Vr=100V)andmaximum150°C opera

SILANSilan Microelectronics Joint-stock

士兰微杭州士兰微电子股份有限公司

SILAN
更新时间:2025-5-20 20:00:00
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