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2SB166100MA

LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

DESCRIPTION ➤ 2SB166100MA is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ➤ Due to special schottky barrier structure, the chips have very low reverse leakage current ( typical IR=0.002mA@ Vr=100V ) and maximum 150°C opera

SILAN

士兰微

2SB166100MA

肖特基二极管芯片

SILAN

士兰微

更新时间:2026-5-14 18:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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