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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
2SB1561	MediumPowerTransistor(-60V,-2A) Features 1)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=−0.15VatIC/IB=−1A/−50mA. 2)Collector-emittervoltage=−60V 3)Pc=2W(on40400.7mmceramicboard). 4)Complementsthe2SD2391.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
2SB1561	MediumPowerTransistor(−60V,−2A) 文件：175.55 Kbytes Page：3 Pages	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
2SB1561U	mediumpowertransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor MediumPowerTransistor	Surge Surge Components
2SB1561-Q	PNPTransistors 文件：334.45 Kbytes Page：3 Pages	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
2SB1561SQ	PNPTransistor 文件：359.6 Kbytes Page：3 Pages	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司

2SB1561Q供应商更多...

更新时间：2025-8-2 23:00:02

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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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2023-2-24
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2023-2-1
2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单价格优势有单必成
2022-3-30
2SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9