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2SB1429晶体管资料

  • 2SB1429别名：2SB1429三极管、2SB1429晶体管、2SB1429晶体三极管

  • 2SB1429生产厂家：日本东芝公司

  • 2SB1429制作材料：Si-PNP

  • 2SB1429性质：HIFI_低频或音频放大 （LF）_输出极 （E）

  • 2SB1429封装形式：直插封装

  • 2SB1429极限工作电压：180V

  • 2SB1429最大电流允许值：15A

  • 2SB1429最大工作频率：10MHZ

  • 2SB1429引脚数：3

  • 2SB1429最大耗散功率：150W

  • 2SB1429放大倍数：

  • 2SB1429图片代号：B-53

  • 2SB1429vtest：180

  • 2SB1429htest：10000000

  • 2SB1429atest：15

  • 2SB1429wtest：150

  • 2SB1429代换 2SB1429用什么型号代替：2SA1302,2SA1553,2SB1317,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SB1429

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3PL package • Complement to type 2SD2155 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage

SAVANTIC

2SB1429

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3PL package • Complement to type 2SD2155 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage

JMNIC

锦美电子

2SB1429

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3PL package • Complement to type 2SD2155 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage

ISC

无锡固电

2SB1429

TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATION

Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Power Amplifier Applications Features • Complementary to 2SD2155 • Recommend for 100W High Fidelity Audio Frequency - Amplifier Output Stage

TOSHIBA

东芝

2SB1429

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION • High Current Capability • High Power Dissipation • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo=-180V(Min) • Complement to Type 2SD2155 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage applications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB1429

PNP Low Vce(sat) Transistor

Features  Silicon PNP epitaxial type  Low Vce(sat) -0.3V(max)@Ic/Ib=-3A/-0.3A  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive  Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free)

PANJIT

強茂

2SB1429

Silicon PNP Power Transistors

文件：226.35 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

2SB1429

低电压双极晶体管

PANJIT

強茂

2SB1429_R1_00001

丝印代码：B29；PNP Low Vce(sat) Transistor

Features  Silicon PNP epitaxial type  Low Vce(sat) -0.3V(max)@Ic/Ib=-3A/-0.3A  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive  Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free)

PANJIT

強茂

2SB1429_R2_00001

丝印代码：B29；PNP Low Vce(sat) Transistor

Features  Silicon PNP epitaxial type  Low Vce(sat) -0.3V(max)@Ic/Ib=-3A/-0.3A  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive  Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free)

PANJIT

強茂

2SB1429_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：204.84 Kbytes Page：4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1429_2014

Silicon PNP Power Transistors

文件：204.84 Kbytes Page：4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1429_R1_00001

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PNP 20V 3A SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SB1429产品属性

  • 类型

    描述

  • Type：

    PNP

  • VCBO Max.[V]：

    -20

  • VCEO Max.[V]：

    -20

  • IC Max.[mA]：

    -3

  • VCE(sat)Max.[V]：

    -0.3

  • VCE(sat)Max.[IC.mA]：

    -3000

  • VCE(sat)Max.[IB.mA]：

    -0.3

  • hFE(Min)：

    200

  • hFE(Max)：

    500

  • hFE(VCE[V])：

    -2

  • hFE(IC[mA])：

    -500

  • PTOT Max.[mW]：

    1250

  • fT Min.[MHz]：

    160

  • Package：

    SOT-23

2SB1429供应商更多...

更新时间：2026-5-16 17:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市一线半导体有限公司
2SB1429
24+
TO-3PL
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深圳市振宏微科技有限公司
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2SB1429其他二极管
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TOSHIBA/东芝
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