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2SB1429_R2_00001

PNP Low Vce(sat) Transistor

Features  Silicon PNP epitaxial type  Low Vce(sat) -0.3V(max)@Ic/Ib=-3A/-0.3A  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive  Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free)

PANJIT

強茂

更新时间:2025-8-13 15:47:00
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