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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
2SB1424T100Q	LowVCE(sat)Transistor(??0V,??A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.2V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2150/2SC4115S. Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
2SB1424T100R	LowVCE(sat)Transistor(??0V,??A) 文件：72.21 Kbytes Page：4 Pages	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团

2SB1424T100P供应商更多...

更新时间：2025-6-17 19:09:02

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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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支持实单价格优势有单必成
2022-3-30
2SB649 MOS
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2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9