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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
2SB1424T100Q	Low VCE(sat) Transistor (??0V, ??A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.2V (Typ.) (IC/IB = −2A / −0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2150 / 2SC4115S. Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1424T100R	Low VCE(sat) Transistor (??0V, ??A) 文件：72.21 Kbytes Page：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

2SB1424T100P供应商更多...

更新时间：2026-3-9 22:58:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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2022-3-30
2SB649 MOS
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2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9