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2SB1412晶体管资料

  • 2SB1412别名：2SB1412三极管、2SB1412晶体管、2SB1412晶体三极管

  • 2SB1412生产厂家：TOY

  • 2SB1412制作材料：Si-PNP

  • 2SB1412性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 2SB1412封装形式：直插封装

  • 2SB1412极限工作电压：20V

  • 2SB1412最大电流允许值：10A

  • 2SB1412最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SB1412引脚数：3

  • 2SB1412最大耗散功率：10W

  • 2SB1412放大倍数：

  • 2SB1412图片代号：H-65

  • 2SB1412vtest：20

  • 2SB1412htest：999900

  • 2SB1412atest：10

  • 2SB1412wtest：10

  • 2SB1412代换 2SB1412用什么型号代替：2SA1242,2SA1385,2SB1205,2SB1447,

2SB1412价格

参考价格：￥1.6523

型号：2SB1412TLQ 品牌：Rohm 备注：这里有2SB1412多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SB1412批发/采购报价，2SB1412行情走势销售排行榜，2SB1412报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SB1412

LowFrequencyTransistor(-20V,-5A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2098/2SD2118/2SD2097/2SD2166.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1412

PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Features: *ExcellentDCCurrentGainCharacteristics *LowVCE(Sat)

WEITRON

Weitron Technology

WEITRON
2SB1412

TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerAmplifierApplications

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU
2SB1412

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1205-usedsetsmaller •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Poweramplifie

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1412

SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage.

Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentDCcurrentgaincharacteristics,complementsthe2SD2118. Applications Mediumpoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SB1412

LowFrequencyTransistor

Features ●LowVCE(sat). ●PNPsilicontransistor.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1412

PNPSiliconLowFrequencyTransistor

Features 1)LowVCE(sat). 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics 3)Complementsthe2SD2118

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SB1412

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-20V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=82(Min)@IC=-0.5A ·Fastswitchingspeed APPLICATIONS ·Relaydrivers,Highspeedinverters,convertersandother generalhigh-currentswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1412

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-20V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=82(Min)@IC=-0.5A ·Fastswitchingspeed APPLICATIONS ·Relaydrivers,Highspeedinverters,convertersandother generalhigh-currentswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1412

Lowfrequencytransistor(−20V,−5A)

文件：139.65 Kbytes Page：5 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1412

Lowfrequencytransistor(−20V,−5A)

文件：192.32 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1412

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

文件：174.96 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412-251

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-20V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=82(Min)@IC=-0.5A ·Fastswitchingspeed APPLICATIONS ·Relaydrivers,Highspeedinverters,convertersandother generalhigh-currentswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1412-252

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-20V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=82(Min)@IC=-0.5A ·Fastswitchingspeed APPLICATIONS ·Relaydrivers,Highspeedinverters,convertersandother generalhigh-currentswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1412L-TN3-B-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412L-TN3-C-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412L-TN3-E-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412L-TN3-F-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412-TN3-B-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412-TN3-C-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412-TN3-E-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412-TN3-F-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412_09

Lowfrequencytransistor(−20V,−5A)

文件：192.32 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1412_10

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

文件：174.96 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412_15

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

文件：192.02 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412_15

PNPPlasticEncapsulatedTransistor

文件：428.97 Kbytes Page：2 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SB1412G-X-TN3-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

文件：174.96 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412G-X-TN3-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

文件：192.02 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412G-X-TN3-T

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

文件：192.02 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412L-X-TN3-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

文件：174.96 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412L-X-TN3-R

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

文件：192.02 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412L-X-TN3-T

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

文件：192.02 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1412-P

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件：653.23 Kbytes Page：4 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1412-Q

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件：653.23 Kbytes Page：4 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1412-Q-TP

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PNP 30V 5A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1412-R

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件：653.23 Kbytes Page：4 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1412-R-TP

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PNP 30V 5A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1412TLR

Lowfrequencytransistor(??0V,??A)

文件：135.55 Kbytes Page：4 Pages

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse

2SB1412产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB1412

  • 制造商

    ROHM Semiconductor

  • 功能描述

    5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

2SB1412供应商更多...

更新时间：2025-6-3 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SB1412-Q
Rohm(罗姆)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
询价
深圳市凌旭科技有限公司
2SB1412
ROHM
2016+
TO-252
6000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
上海意淼电子科技有限公司
2SB1412TL
ROHM
23+
TO-263
20000
全新原装假一赔十
询价
深圳市纳艾斯科技有限公司
2SB1412TLQ
原装ROHM
24+
SOT252
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
深圳市金芯世纪电子有限公司
2SB1412TLQ
ROHM/罗姆
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市科芯源微电子有限公司
2SB1412
CJ/长晶
23+
SOT-223
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
深圳市威雅利发展有限公司
2SB1412TLR
ROHM
1120+
TO-252
830
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
2SB1412TLR
ROHM/罗姆
20+
TO252
67500
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
深圳市博浩通科技有限公司
2SB1412TLP
ROHM
23+
TO252-3
8890
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
2SB1412-TL-R
ROHM/罗姆
1950+
TO-252
4856
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价

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