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2SB1389晶体管资料
2SB1389别名：2SB1389三极管、2SB1389晶体管、2SB1389晶体三极管
2SB1389生产厂家：日本日立公司
2SB1389制作材料：Si-P+Darl+Di
2SB1389性质：绝缘 （Iso）
2SB1389封装形式：直插封装
2SB1389极限工作电压：60V
2SB1389最大电流允许值：4A
2SB1389最大工作频率：<1MHZ或未知
2SB1389引脚数：3
2SB1389最大耗散功率：25W
2SB1389放大倍数：β>1000
2SB1389图片代号：B-45
2SB1389vtest：60
2SB1389htest：999900
- 2SB1389atest：4
2SB1389wtest：25
2SB1389代换 2SB1389用什么型号代替：BDT60F,2SA1718,2SB1024,2SB1223,2SB1257,2SB1342,2SB1430,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB1389 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications | JMNIC 锦美电子 |   | |
2SB1389 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications | ISC 无锡固电 | | |
2SB1389 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications | SAVANTIC | | |
2SB1389 | Silicon PNP Triple Diffused Application Low frequency power amplifier | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | |
2SB1389 | Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -2A) APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
2SB1389 | Transistors>Switching/Bipolar | RENESAS 瑞萨 | | |
2SB1389 | Silicon PNP Triple Diffused 文件：149.55 Kbytes Page：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | | |
2SB1389 | Silicon PNP Power Transistors 文件：132 Kbytes Page：3 Pages | SAVANTIC | | |
Silicon PNP Power Transistors 文件：150.5 Kbytes Page：3 Pages | JMNIC 锦美电子 | | ||
Silicon PNP Power Transistors 文件：150.5 Kbytes Page：3 Pages | JMNIC 锦美电子 | |
2SB1389产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SB1389
- 制造商
Panasonic Industrial Company
- 功能描述
TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI |
1932+ |
TO-220F |
794 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
HITACHI/日立 |
24+ |
NA/ |
3955 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
HITACHI/日立 |
20+ |
TO-220F |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
24+ |
TO-220FA |
10000 |
全新 |
||||
HITACHI |
25+ |
TO-TO-220F |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
SILAN |
25+ |
CDIP |
4100 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
HITACHI/日立 |
22+ |
TO-220F |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
24+ |
TO-220 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
||||
HITACHI/日立 |
24+ |
TO-220F |
60000 |
||||
HITACHI |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
2SB1389规格书下载地址
2SB1389参数引脚图相关
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2023-2-12SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-302SB649 MOS
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2021-9-102SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
DdatasheetPDF页码索引
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