您好,欢迎来到114ic资料网！

芯片资料
  • 数据手册
  • 丝印反查
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 生产厂家
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料第193页 > 2SB1308

2SB1308晶体管资料

  • 2SB1308别名：2SB1308三极管、2SB1308晶体管、2SB1308晶体三极管

  • 2SB1308生产厂家：TOY

  • 2SB1308制作材料：Si-PNP

  • 2SB1308性质：表面帖装型 （SMD）

  • 2SB1308封装形式：直插封装

  • 2SB1308极限工作电压：30V

  • 2SB1308最大电流允许值：5A

  • 2SB1308最大工作频率：120MHZ

  • 2SB1308引脚数：3

  • 2SB1308最大耗散功率：0.75W

  • 2SB1308放大倍数：

  • 2SB1308图片代号：H-100

  • 2SB1308vtest：30

  • 2SB1308htest：120000000

  • 2SB1308atest：5

  • 2SB1308wtest：0.75

  • 2SB1308代换 2SB1308用什么型号代替：2SB1073,2SB1302,

2SB1308价格

参考价格：￥1.7464

型号：2SB1308T100R 品牌：ROHM 备注：这里有2SB1308多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SB1308批发/采购报价，2SB1308行情走势销售排行榜，2SB1308报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SB1308

Power Transistor (-50V, -3A)

Features 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = −0.45V (Max.) at IC/IB = −1.5A / −0.15A. 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD1963.

ROHM

罗姆

2SB1308

Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

TEL

2SB1308

Power Transistor

■ Features ● Power Transistor ● Excellent DC current Gain ● Low Collector-emitter Saturation Voltage

KEXIN

科信电子

2SB1308

TRANSISTOR

FEATURES ● Power Transistor ● Excellent DC current Gain ● Low Collector-emitter Saturation Voltage

HTSEMI

金誉半导体

2SB1308

SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Power Transistor ● Excellent DC current Gain ● Low Collector-emitter Saturation Voltage ● Pb-Free package is available RoHS product for packing code suffix G Halogen free product for packing code suffix H

WILLAS

威伦电子

2SB1308

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Power Transistor ● Excellent DC current Gain ● Low Collector-emitter Saturation Voltage

JIANGSU

长电科技

2SB1308

PowerTransistor

FEATURES ● Low saturation voltage,typically VCE(sat)=-0.45(Max) at IC/IB=-1.5A/-0.15A ● Excellent DC current gain characterisitics. ● Complementary the 2SD1963.

BILIN

银河微电

2SB1308

TRANSISTOR (PNP)

FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

WINNERJOIN

永而佳

2SB1308

Power Transistor(-50V,-3A)

FEATURES Low saturation voltage,typically VCE(sat)=-0.45(Max) at IC/IB=-1.5A/-0.15A Excellent DC current gain characterisitics. Complementary the 2SD1963.

DGNJDZ

南晶电子

2SB1308

普通三极管

FOSAN

富信半导体

2SB1308

双极型晶体管

GALAXY

银河微电

2SB1308

晶体管

JSCJ

长晶科技

2SB1308-P

PNP Plastic-Encapsulate Transistors

Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Power dissipation: PCM = 0.5W(Tamb=25°C) • Collector current: ICM = -3A • Collector-base voltage: V(BR)CBO

MCC

2SB1308-Q

PNP Plastic-Encapsulate Transistors

Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Power dissipation: PCM = 0.5W(Tamb=25°C) • Collector current: ICM = -3A • Collector-base voltage: V(BR)CBO

MCC

2SB1308-R

PNP Plastic-Encapsulate Transistors

Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Power dissipation: PCM = 0.5W(Tamb=25°C) • Collector current: ICM = -3A • Collector-base voltage: V(BR)CBO

MCC

2SB1308_15

PNP Transistors

文件：1.18006 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

2SB1308_15

TRANSISTOR (PNP)

文件：134.56 Kbytes Page：1 Pages

WINNERJOIN

永而佳

2SB1308-P

PNP Transistors

文件：1.18006 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

2SB1308-P

PNP Plastic-Encapsulate Transistors

文件：256.8 Kbytes Page：2 Pages

MCC

2SB1308-P_14

PNP Plastic-Encapsulate Transistors

文件：256.8 Kbytes Page：2 Pages

MCC

2SB1308-Q

PNP Plastic-Encapsulate Transistors

文件：256.8 Kbytes Page：2 Pages

MCC

2SB1308-Q

PNP Transistors

文件：1.18006 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

2SB1308-Q-TP

封装/外壳：TO-243AA 包装：带盒（TB） 描述：TRANS PNP 20V 3A SOT89 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCC

2SB1308-R

PNP Transistors

文件：1.18006 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

2SB1308-R

PNP Plastic-Encapsulate Transistors

文件：256.8 Kbytes Page：2 Pages

MCC

2SB1308-R-TP

封装/外壳：TO-243AA 包装：带盒（TB） 描述：TRANS PNP 20V 3A SOT89 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCC

2SB1308产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB1308

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2SB1308供应商更多...

更新时间：2025-10-29 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SB1308
ROHM/罗姆
24+
NA/
1716
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳市凌旭科技有限公司
2SB1308
ROHM
2016+
SOT89
6000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
2SB1308
ROHM/罗姆
20+
SOT-89
43000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
深圳市金芯世纪电子有限公司
2SB1308
ROHM/罗姆
22+
SOT89
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市振宏微科技有限公司
2SB1308
SOT-89
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
询价
深圳市富利微电子科技有限公司
2SB1308
ROHM/罗姆
24+
SOT-89
33500
全新进口原装现货,假一罚十
询价
深圳市力拓辉电子有限公司
2SB1308_120-270_SOT-89-3L
长晶科技
21+
SOT-89-3L
50
全新原装鄙视假货
询价
深圳市富芯乐电子科技有限公司
2SB1308-Q
ROHM
24+
SOT-89
6500
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
询价
富凯科技(深圳）有限公司
2SB1308
CJ/长电
24+
SOT-89
50000
只做原装，欢迎询价，量大价优
询价
深圳市一线半导体有限公司
2SB1308
ROHM
24+
SOT-89
6348
新进库存/原装
询价

2SB1308芯片相关品牌

2SB1308规格书下载地址

2SB1308参数引脚图相关

2SB1308数据表相关新闻

  • 2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商

    2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商

    2023-3-14

  • 2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2023-2-1

  • 2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货

    支持实单 价格优势 有单必成

    2022-3-30

  • 2SB649 MOS

    www.jskj-ic.com

    2021-9-10

  • 2SA2198

    2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-24

  • 2SB1386-P-PNP硅外延晶体管

    2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号

    2012-11-9

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2025 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示