2SB1299晶体管资料

  • 2SB1299别名:2SB1299三极管、2SB1299晶体管、2SB1299晶体三极管

  • 2SB1299生产厂家:日本松下公司

  • 2SB1299制作材料:Si-PNP

  • 2SB1299性质:HI_BETA

  • 2SB1299封装形式:直插封装

  • 2SB1299极限工作电压:80V

  • 2SB1299最大电流允许值:3A

  • 2SB1299最大工作频率:30MHZ

  • 2SB1299引脚数:3

  • 2SB1299最大耗散功率:40W

  • 2SB1299放大倍数:β>300

  • 2SB1299图片代号:B-38

  • 2SB1299vtest:80

  • 2SB1299htest:30000000

  • 2SB1299atest:3

  • 2SB1299wtest:40

  • 2SB1299代换 2SB1299用什么型号代替:2SA1469,2SB1015,2SB1094,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SB1299

Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)

■ Features ● High foward current transfer ratio hFE ● Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE ● Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw

Panasonic

松下

2SB1299

Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification

Panasonic

松下

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:散装 描述:TRANS PNP 60V 3A TO220F-A1 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

PanasonicElectronicComponents

2SB1299产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB1299

  • 功能描述

    TRANS PNP 60VCEO 3A TO-220F

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)

    200mV @ 100mA,1A 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    300 @ 500mA,5V 功率 -

  • 最大

    710mW 频率 -

  • 转换

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    MMBT489LT1GOSDKR

更新时间:2025-10-12 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
NA/
160
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
KEC
22+
TO-3P
100000
代理渠道/只做原装/可含税
24+
TO-220FA
10000
全新
NEC
2447
TO-92
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
NEC
1922+
SOT-89
35689
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
PANASONIC
2022
TO-220
2600
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
MAT
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十年配单,只做原装
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2025+
SOT-89
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NEC
25+
SOT-89
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