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2SB1260T100Q价格
参考价格：￥0.9241
型号：2SB1260T100Q 品牌：Rohm 备注：这里有2SB1260T100Q多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SB1260T100Q批发/采购报价，2SB1260T100Q行情走势销售排行榜，2SB1260T100Q报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB1260T100Q | Power Transistor (??0V, ??A) Features 1) High breakdown voltage and high current. BVCEO= −80V, IC=−1A 2) Good hFE linearity. 3) Low VCE(sat). 4) Complements the 2SD1898 / 2SD1863 / 2SD1733. | ROHM 罗姆 |   | |
2SB1260T100Q | 封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PNP 80V 1A MPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ROHM 罗姆 | | |
Power Transistor (??0V, ??A) Features 1) High breakdown voltage and high current. BVCEO= −80V, IC=−1A 2) Good hFE linearity. 3) Low VCE(sat). 4) Complements the 2SD1898 / 2SD1863 / 2SD1733. | ROHM 罗姆 | |
2SB1260T100Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SB1260T100Q
- 功能描述
两极晶体管 - BJT PNP 80V 1A SO-89
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
2450+ |
SOT89 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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ROHM |
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ROHM |
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SOP89 |
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1000 |
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2012-11-9
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