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2SB1198K晶体管资料
2SB1198K别名：2SB1198K三极管、2SB1198K晶体管、2SB1198K晶体三极管
2SB1198K生产厂家：TOY
2SB1198K制作材料：Si-PNP
2SB1198K性质：表面帖装型 （SMD）_低频或音频放大 （LF）
2SB1198K封装形式：贴片封装
2SB1198K极限工作电压：80V
2SB1198K最大电流允许值：0.5A
2SB1198K最大工作频率：180MHZ
2SB1198K引脚数：3
2SB1198K最大耗散功率：
2SB1198K放大倍数：
2SB1198K图片代号：H-15
2SB1198Kvtest：80
2SB1198Khtest：180000000
- 2SB1198Katest：0.5
2SB1198Kwtest：0
2SB1198K代换 2SB1198K用什么型号代替：BCX42,2SA1620,2SB736A,2SB779,
2SB1198K价格
参考价格：￥0.4973
型号：2SB1198KFRAT1>> 品牌：Rohm Semiconductor 备注：这里有2SB1198K多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SB1198K批发/采购报价，2SB1198K行情走势销售排行榜，2SB1198K报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB1198K | Low-frequency Transistor(-80V, -0.5A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V (Typ.) (IC / IB = 0.5A / 50mA) 2) High breakdown voltage. BVCEO = 80V 3) Complements the 2SD1782K. | ROHM 罗姆 |   | |
2SB1198K | PNP Silicon General Purpose Transistor FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W Collector current ICM : -0.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -80 V Operating and storage junction temperature range TJ Tstg: -55°C to +150°C | SECOS 喜可士 | | |
2SB1198K | Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features High breakdown, low VCE(sat),complements the 2SD1782K. Applications Medium power amplifier applications. | FOSHAN 蓝箭电子 | | |
2SB1198K | Low-frequency Transistor (-80V, -0.5A) 文件：104.77 Kbytes Page：4 Pages | ROHM 罗姆 | | |
2SB1198K | PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：290.03 Kbytes Page：2 Pages | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司 | | |
2SB1198K | PNP Transistors 文件：736.82 Kbytes Page：2 Pages | KEXIN 科信电子 | | |
2SB1198K | SOT-23-3L Bipolar Junction Transistors | ETC 知名厂家 | ETC | |
2SB1198K | 双极晶体管 | FOSHAN 蓝箭电子 | | |
2SB1198K | Driver Transistor | ROHM 罗姆 | | |
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low VCE(sat) High breakdown voltage | DGNJDZ 南晶电子 | | ||
Low-frequency Transistor(-80V, -0.5A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V (Typ.) (IC / IB = 0.5A / 50mA) 2) High breakdown voltage. BVCEO = 80V 3) Complements the 2SD1782K. | ROHM 罗姆 | | ||
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low VCE(sat) ● High breakdown voltage | JIANGSU 长电科技 | | ||
LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1198 is an epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * High breakdown voltage : BVCEO= -80V * Low VCE(sat) : VCE(sat)= -0.2V (Typ) (Ic/IB = -0.5A/-50mA) | UTC 友顺 | | ||
LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR 文件：249.93 Kbytes Page：4 Pages | UTC 友顺 | | ||
Power Transistor (-80V, -500mA) Features 1)Low VCE(sat) VCE(sat)=-200mV(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)High breakdown voltage. BVCEO=-80V 3)Complements the 2SD1782K FRA. Application DRIVER | ROHM 罗姆 | | ||
Low-frequency Transistor (-80V, -0.5A) 文件：104.77 Kbytes Page：4 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 80V 0.5A SMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ROHM 罗姆 | | ||
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 80V 0.5A SMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ROHM 罗姆 | |
2SB1198K产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SB1198K
- 制造商
SECOS
- 制造商全称
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
- 功能描述
PNP Silicon General Purpose Transistor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
2023+ |
SOT23 |
50000 |
原装现货 |
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ROHM(罗姆) |
24+ |
SC59 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
7597 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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ROHM |
23+ |
SOT23/SOT323 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
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ROHM/罗姆 |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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ROHM |
11+ |
SOT23 |
2563 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ROHM/罗姆 |
25+ |
SOT23 |
32360 |
ROHM/罗姆全新特价2SB1198KT146R即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
ROHM/罗姆 |
25+ |
SOT-23 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
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ROHM |
2107+ |
SC-59-3 |
48000 |
全新原装公司现货
|
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ROHM/罗姆 |
22+ |
SOT-23 |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
2SB1198K规格书下载地址
2SB1198K参数引脚图相关
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2023-3-142SA928AL-TO92NLB-Y-TG
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
2023-2-12SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-302SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-102SA2198
2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-242SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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